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作者：李心慰 曲殿利 李志堅 吳鋒 徐娜

作者單位：遼寧科技大學 高溫材料與鎂資源工程學院 遼寧鞍山 114044

刊名：

ISSN：1001-1935

出版年：2011-01-01

卷：

期：02

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分類號：

語種：中文

關鍵詞：

內容簡介

    以硅灰、白炭黑、硅溶膠為硅源，炭黑為碳源，采用碳熱還原法合成碳化硅晶須，通過XRD及SEM對合成產物的物相及形貌進行分析，探討了合成溫度（分別為1 400、1 450、1 500、1 550 ℃）、硅源、n（C）：n（SiO2）對合成碳化硅晶須的影響。結果表明：n（C）：n（SiO2）為2.4~3.6，合成溫度為1 500 ℃，保溫3 h時，硅溶膠與炭黑反應沒有生成碳化硅晶須，硅灰、白炭黑與炭黑反應均生成碳化硅晶須；以硅灰為硅源合成碳化硅晶須的質量及數量明顯優(yōu)于以白炭黑為硅源合成碳化硅晶須；合成碳化硅晶須的最佳n（C）：n（SiO2）為3.3。